集微网消息，据外媒报道，知名化合物半导体厂商高意公司（Coherent，原II-VI）宣布和三菱电机签署了一份谅解备忘录 (MOU)，以合作开展一项计划，在200毫米技术平台上扩大SiC电力电子产品的制造规模。
为了满足对SiC芯片快速增长的需求，三菱电机宣布将在截至2026年3月的五年期间投资约18亿美元美元。投资的主要部分，约为7.11亿美元（1000亿日元），将用于建设基于200毫米技术平台的SiC功率器件新工厂，根据谅解备忘录，高意公司将为三菱电机未来在新工厂生产的碳化硅功率器件开发200毫米4H-N碳化硅衬底。
高意代表Sohail Khan表示：“我们很高兴与三菱电机建立合作关系，三菱电机是碳化硅功率器件的先驱，也是高速列车碳化硅功率模块的全球市场领导者，包括日本著名的新干线，我们在向三菱电机供应SiC衬底方面有着悠久的历史，并期待扩大与他们的关系，以扩展他们新的200毫米SiC平台。”
三菱电机半导体与器件集团执行官Masayoshi Takemi表示：“多年来，高意公司一直是三菱电机高质量150毫米SiC晶圆衬底的可靠供应商，我们很高兴与高意公司建立这种密切的合作伙伴关系，将我们各自的SiC制造平台扩展到200毫米。”
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