在炎炎夏日，一个可靠且节能的空调系统对于舒适的居家环境来说至关重要。对于消费者们而言，静音且高效地运行的家电产品对他们的生活品质至关重要。
作为全球能源消耗的主要领域之一，家电与暖风空调系统的能效标准日益严格，这让工程师们面临兼具挑战——如何在不增加成本的情况下，设计出更小型、更节能的电机驱动系统，并同时满足消费者对系统的高效率、可靠性、安静性及经济性的多样需求。在当前的技术环境中，如何在保持高能效的同时满足消费者对性能、可靠性和经济性的多样化需求，成为了高压电机驱动系统设计的核心问题。
面对这一桎梏，作为“承上启下”的宽禁带半导体材料，GaN在设计中体现了重要作用，与Si/SiC相比有突出成本优势氮化镓（GaN）是新一代半导体材料，具有超强的导热效率、耐高温和耐酸碱等特点。GaN材料的应用使器件小型化、轻量化，降低了电力电子装置的体积、重量以及制作和生产的成本，能够更好的控制成本，大规模的产业化，实现量产。
市场层面，根据Yole估计，在0～900V的低压市场内，GaN都有较大的应用潜力。按照整体市场154亿美元来看，占据68%的该部分低压市场都是GaN的潜在市场，约有105亿美元。
面对在实现全球环境可持续发展目标的重要意义，以及广阔的市场前景，各类GaN器件正加速涌现。6月18日，TI 推出了适用于 250W 电机驱动器应用的先进 650V 三相 GaN IPM——DRV7308 GaN IPM。
GaN IPM带来系统效率提升
“得益于第三代半导体氮化镓技术，DRV7308 可以提高系统的功率密度，而且效率出色，最重要是它不再需要外部散热体。与基于 IGBT 和 MOSFET 的解决方案相比，电机驱动逆变器的印刷电路板尺寸，可以缩减高达 55%。”TI销售与市场应用经理 Charlie Munoz如是说。
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